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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 15 ns |
| 其他特性： | MEMORY RESET FUNCTION | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 31.877 mm | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.1 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8858803XX | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8858804KA | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8858804LA | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8858804XA | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8858805KA | ETC | x4 SRAM |
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| 5962-8858805LA | ETC | x4 SRAM |
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