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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | CERAMIC, DIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.66 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.025 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8764811QXX | CYPRESS | UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| 5962-8764811QYA | CYPRESS | UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| 5962-8764811QYX | CYPRESS | UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| 5962-8764812QXA | ETC | x8 EPROM |
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| 5962-8764812QYA | ETC | x8 EPROM |
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| 5962-8764812QYX | CYPRESS | UVPROM, 64KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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