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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.66 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 31.877 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8751508KX | WEDC | UVPROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDFP24 |
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| 5962-8751508LX | CYPRESS | UVPROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 |
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| 5962-8751508LX | ROCHESTER | UVPROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 |
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| 5962-87515093A | WEDC | UVPROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28 |
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| 5962-8751509JA | CYPRESS | UVPROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-24 |
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| 5962-8751509KA | CYPRESS | UVPROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP24, WINDOWED, CERPACK-24 |
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