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5962-8687518YA

更新时间： 2024-01-30 08:15:12

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	355K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48

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5962-8687518YA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	QCCN, LCC48,.56SQ,40
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-XQCC-N48	JESD-609代码：	e0
长度：	14.224 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC48,.56SQ,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	1.9812 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.016 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14.224 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8687518YX	ETC	x8 Dual-Port SRAM	获取价格
5962-8687518ZX	ETC	x8 Dual-Port SRAM	获取价格
5962-8687519UA	WEDC	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS	获取价格
5962-8687519UX	TEMIC	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, FP-48	获取价格
5962-8687519XA	CYPRESS	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48	获取价格
5962-8687519XX	ETC	x8 Dual-Port SRAM	获取价格