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5962-8685918LA

更新时间: 2024-01-01 21:57:38
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 209K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24

5962-8685918LA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.67
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:OTHER SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:24
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX4
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-STD-883最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

5962-8685918LA 数据手册

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