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5962-3829415MXA

更新时间: 2024-02-19 08:55:15
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962-3829415MXA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:CDIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.16
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:37.211 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:OTHER SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.135 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

5962-3829415MXA 数据手册

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