是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | CERAMIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.2 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.338 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.715 mm | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.13 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-3829413MXX | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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5962-3829413MYA | CYPRESS | Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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5962-3829413MYC | ETC | x8 SRAM |
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5962-3829413MYX | ETC | x8 SRAM |
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5962-3829413MZA | ETC | x8 SRAM |
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5962-3829413MZX | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
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