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5962-3829409MYA

更新时间: 2024-01-13 01:30:04
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

5962-3829409MYA 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.56
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CQCC-N32JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.125 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

5962-3829409MYA 数据手册

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