生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.56 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-3829409MYC | ETC | x8 SRAM |
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5962-3829409MYX | ETC | x8 SRAM |
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5962-3829409MZA | IDT | CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) |
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5962-3829409MZC | MICROSS | Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
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5962-3829409MZX | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
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5962-3829410MMC | MICROSS | Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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