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CYNB16-1000

更新时间： 2024-09-17 19:41:11

品牌	Logo	应用领域
CYNERGY3		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	227K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 10000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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CYNB16-1000 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.21
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	25 mA	最大直流栅极触发电压：	1.3 V
最大维持电流：	40 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	0.005 mA
通态非重复峰值电流：	200 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	10000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	16 A
断态重复峰值电压：	1000 V	重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

CYNB16-1000 数据手册

CYNA/CYNB16

16Amp - 400/600/800/1000V - SCR

Suitable for General Purpose AC Switching

Applications

• Motor Control

IGT 25 mA Max.

• Overvoltage Crowbar Protection

• Capacitive Discharge Ignition

• Voltage Regulation

V_DRM/V_RMM400, 600, 800, 1000V

• Welding Equipment

• Capacitive Filter Soft Start

(Inrush Current Control)

Absolute Maximum Ratings

CONDITIONS

SYMBOL

RATING

Tc = 110 C

TO-220AB

TO-220AB Iso

RMS On-State Current (full sine wave)

IT(RMS)

16A

Tc = 95 C

Tc = 110 C

TO-220AB

TO-220AB Iso

Average On-State Current

IT(RMS)

10A

Tc = 95 C

Non Repetitive Surge Peak On-State Current

F =50 Hz

F =60 Hz

190A

200A

180A²s

ITSM

I²t

(Full Cycle, Tj Initial = 25 C)

I²t Value for fusing

tp = 10 ms

Critical rate of rise of on-state current

F =60 Hz

di/dt

100A/µs

I =2 x I , tr<100 ns, Tj = 125 C

TO-220AB Isolated

(CYNA16)

Peak Gate Current @ Tj = 125˚C

tp = 20 µs

PG(AV)

I_GM

Average Gate Power Dissipation @ Tj = 125 C

Storage Temperature Range

Tstg

-40 to +150 C

Operating Junction Temperature Range

Isolation Voltage (CYNA Series only)

Maximum Peak Reverse Gate Voltage

-40 to +125 C

V_ISO

V_RGM

2500V_RMS

TO-220AB Non-Isolated

(CYNB16)

NOTE 1

Electrical Characteristics

I_GTMAX @ V_D=12 V, R_L= 30Ω

V_GTMAX @ V_D=12 V, R_L= 30Ω

V_GDMIN @ V_D=V_DRM, R_L= 3.3kΩ

I_HMAX @ I_T= 500 mA (gate open)

I_LMAX @ I_G= 1.2 I_GT

25mA

1.3V

Tj = 125 C

0.2V

40mA

60mA

500V/µs

1.6V

dv/dt MIN @ V_D= 67%V_DRM(gate open)

V_TMMAX @ I_TM=32 A, tp = 380µs

I_DRMMAX @ V_{DRM =}V_RRM

Tj = 125˚C

Tj = 25˚C

Tj = 125˚C

5µA

I_RRMMAX @ V_{DRM =}V_RRM

2mA

GENERAL NOTES

1. All parameters at 25 degrees C unless otherwise specified.

ISO9001 CERTIFIED

Competitive part number cross-reference available at: www.cynergy3.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CYNB16-1000PT	CYNERGY3	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 10000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Ele
CYNB16-1200	CRYDOM	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
CYNB16-1200PT	CRYDOM	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
CYNB16-400	CYNERGY3	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 10000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme
CYNB16-400PT	CYNERGY3	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 10000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme
CYNB16-400PT	CRYDOM	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
CYNB16-600	CRYDOM	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
CYNB16-600	CYNERGY3	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 10000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme
CYNB16-600PT	CYNERGY3	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 10000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme
CYNB16-800	CYNERGY3	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 10000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Eleme

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