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CYD18S72V18-200BGI

更新时间: 2024-09-18 19:56:31
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
54页 1991K
描述
256KX72 DUAL-PORT SRAM, 3.3ns, PBGA484, 23 X 23 MM, 2.03 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-484

CYD18S72V18-200BGI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:23 X 23 MM, 2.03 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-484针数:484
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.86
最长访问时间:3.3 ns其他特性:PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
JESD-30 代码:S-PBGA-B484JESD-609代码:e0
长度:23 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:72
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:484字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX72封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):220认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:2.16 mm最大供电电压 (Vsup):1.58 V
最小供电电压 (Vsup):1.42 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:23 mmBase Number Matches:1

CYD18S72V18-200BGI 数据手册

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