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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> CY9C62256-70PC
CY9C62256-70PC PDF预览

CY9C62256-70PC

更新时间： 2024-11-06 03:12:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 351K
描述
32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM

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CY9C62256-70PC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, DIP-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：37.211 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.00015 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

CY9C62256-70PC 数据手册

 浏览型号CY9C62256-70PC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY9C62256-70PC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY9C62256-70PC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY9C62256-70PC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY9C62256-70PC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY9C62256-70PC的Datasheet PDF文件第7页 
PRELIMINARY  
CY9C62256  
32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM  
Features  
Functional Description  
• 100% form, fit, function-compatible with 32K × 8  
The CY9C62256 is a high-performance CMOS nonvolatile  
RAM employing an advanced magnetic RAM (MRAM)  
process. An MRAM is nonvolatile memory that operates as a  
fast read and write RAM. It provides data retention for more  
than ten years while eliminating the reliability concerns,  
functional disadvantages and system design complexities of  
battery-backed SRAM, EEPROM, Flash and FeRAM. Its fast  
writes and high write cycle endurance makes it superior to  
other types of nonvolatile memory.  
micropower SRAM (CY62256)  
— Fast Read and Write access: 70 ns  
— Voltage range: 4.5V–5.5V operation  
— Low power: 330 mW Active; 495 µW standby  
— Easy memory expansion with CE and OE features  
— TTL-compatible inputs and outputs  
— Automatic power-down when deselected  
The CY9C62256 operates very similarly to SRAM devices.  
Memory read and write cycles require equal times. The MRAM  
memory is nonvolatile due to its unique magnetic process.  
Unlike BBSRAM, the CY9C62256 is truly a monolithic nonvol-  
atile memory. It provides the same functional benefits of a fast  
write without the serious disadvantages associated with  
modules and batteries or hybrid memory solutions.  
These capabilities make the CY9C62256 ideal for nonvolatile  
memory applications requiring frequent or rapid writes in a  
bytewide environment.  
• Replaces 32K × 8 Battery Backed (BB)SRAM, SRAM,  
EEPROM, FeRAM or Flash memory  
• Data is automatically Write protected during power loss  
• Write Cycles Endurance: > 1015 cycles  
• Data Retention: > 10 Years  
• Shielded from external magnetic fields  
• Extra 64 Bytes for device identification and tracking  
• Temperature ranges  
The CY9C62256 is offered in both commercial and industrial  
temperature ranges.  
— Commercial: 0°C to 70°C  
— Industrial: – 40°C to 85°C  
• JEDEC STD 28-pin DIP (600-mil), 28-pin (300-mil) SOIC,  
and 28-pin TSOP-1 packages. Also available in 450-mil  
wide (300-mil body width) 28-pin narrow SOIC.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOIC/DIP  
Top View  
A
28  
V
CC  
1
5
27 WE  
A
2
6
A
26  
A
3
7
4
A
A
4
25  
3
8
9
24  
A
A
5
2
A
10  
A
11  
A
12  
A
13  
A
14  
23  
22  
A
6
1
OE  
7
A
0
21  
20  
19  
18  
17  
8
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
3
4
5
6
CE  
I/O  
9
INPUTBUFFER  
10  
11  
12  
13  
14  
7
I/O  
I/O  
A
I/O  
I/O  
I/O  
6
5
4
3
11  
0
1
2
A
10  
A
16 I/O  
9
Silicon Sig.  
I/O  
GND  
15  
A
8
A
7
512x512  
ARRAY  
A
6
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
8
A
OE  
22  
23  
0
A
3
2
1
A
1
CE  
A
I/O  
A
2
24  
25  
26  
27  
28  
1
2
3
4
5
7
A
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
A
3
6
5
4
3
A
4
TSOP I  
WE  
CE  
POWER  
DOWN &  
WRITE  
Top View  
V
WE  
CC  
COLUMN  
GND  
A
5
(not to scale)  
DECODER  
I/O  
2
PROTECT  
A
6
I/O  
7
OE  
I/O  
1
A7  
I/O  
0
A
8
A
A
14  
9
A
A
A
13  
6
7
10  
11  
A
12  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose, CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-15001 Rev. *E  
Revised November 15, 2004  
1234567...11

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与CY9C62256-70PC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY9C62256-70PI CYPRESS

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 		32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM
CY9C62256-70PXI CYPRESS

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 		Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28
CY9C62256-70SC CYPRESS

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 		32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM
CY9C62256-70SI CYPRESS

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CY9C62256-70SNXC CYPRESS

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 		暂无描述
CY9C62256-70SNXI CYPRESS

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 		Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
CY9C62256-70SXI CYPRESS

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 		Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, MO-119, SOIC-28
CY9C62256-70ZC CYPRESS

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 		32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM

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