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CY7C199-35KMB PDF预览

CY7C199-35KMB

更新时间： 2024-12-01 12:58:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 315K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28

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CY7C199-35KMB 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFP包装说明：CERPACK-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.33Is Samacsys：N
最长访问时间：35 ns其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDFP-F28
JESD-609代码：e0长度：18.288 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DFP
封装等效代码：FL28,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：2.286 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：9.144 mmBase Number Matches：1

CY7C199-35KMB 数据手册

 浏览型号CY7C199-35KMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C199-35KMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C199-35KMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C199-35KMB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C199-35KMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C199-35KMB的Datasheet PDF文件第7页 
99  
CY7C199  
32K x 8 Static RAM  
provided by an active LOW Chip Enable (CE) and active LOW  
Output Enable (OE) and three-state drivers. This device has  
an automatic power-down feature, reducing the power con-  
sumption by 81% when deselected. The CY7C199 is in the  
standard 300-mil-wide DIP, SOJ, and LCC packages.  
Features  
• High speed  
— 10 ns  
• Fast tDOE  
An active LOW Write Enable signal (WE) controls the writ-  
ing/reading operation of the memory. When CE and WE inputs  
are both LOW, data on the eight data input/output pins (I/O0  
through I/O7) is written into the memory location addressed by  
the address present on the address pins (A0 through A14).  
Reading the device is accomplished by selecting the device  
and enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE  
remains inactive or HIGH. Under these conditions, the con-  
tents of the location addressed by the information on address  
pins are present on the eight data input/output pins.  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
— 467 mW (max, 12 ns “L” version)  
• Low standby power  
— 0.275 mW (max, “L” version)  
• 2V data retention (“L” version only)  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
The input/output pins remain in a high-impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and Write Enable  
(WE) is HIGH. A die coat is used to improve alpha immunity.  
Functional Description  
The CY7C199 is a high-performance CMOS static RAM orga-  
nized as 32,768 words by 8 bits. Easy memory expansion is  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
DIP / SOJ / SOIC  
Top View  
LCC  
Top View  
A
V
CC  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
5
A
A
A
WE  
A
4
6
7
8
3
2 1 2827  
26  
4
A
4
A
A
10  
8
9
A
3
25  
24  
5
6
7
8
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
A
3
A
9
A
2
A
1
A
A
2
A
10  
A
11  
23  
22  
A
11  
A
1
A
12  
OE  
7
OE  
A
9
13  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
A
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A
12  
13  
14  
0
0
1
2
3
4
5
6
8
9
10  
11  
12  
13  
0
A
10  
11  
12  
14  
INPUT BUFFER  
CE  
I/O  
I/O  
CE  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
7
6
7
1
A
0
0
1
2
6
5
4
1314151617  
A
1
C199–3  
A
2
I/O  
I/O  
A
3
GND  
14  
3
A
4
C199–2  
1024 x 32 x 8  
ARRAY  
A
5
22  
OE  
A
A
21  
A
0
6
23  
24  
1
A
20  
CE  
I/O  
I/O  
6
I/O  
I/O  
I/O  
GND  
I/O  
I/O  
1
7
A
A
A
A
2
3
4
19  
18  
17  
16  
8
A
7
25  
26  
27  
28  
1
9
5
TSOP I  
Top View  
(not to scale)  
WE  
4
3
CE  
WE  
V
CC  
A
15  
14  
13  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
5
A
A
A
2
3
6
7
2
I/O  
7
12  
11  
OE  
4
5
8
9
I/O  
0
C199–1  
A
A
10  
9
14  
A
6
7
10  
A
A
13  
12  
A
11  
8
C199–4  
Selection Guide  
7C199-8 7C199-10 7C199-12 7C199-15 7C199-20 7C199-25 7C199-35 7C199-45  
Maximum Access Time (ns)  
Maximum Operating  
8
10  
110  
90  
12  
160  
90  
15  
155  
90  
20  
150  
90  
25  
150  
80  
35  
140  
70  
45  
120  
140  
Current (mA)  
L
Maximum CMOS  
Standby Current (mA)  
0.5  
0.5  
0.05  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
L
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
Shaded area contains advance information.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05160 Rev. **  
Revised September 7, 2001  
1234567...16

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与CY7C199-35KMB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C199-35LC ETC

获取价格

 		x8 SRAM
CY7C199-35LMB CYPRESS

获取价格

 		32K x 8 Static RAM
CY7C199-35PC CYPRESS

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 		32K x 8 Static RAM
CY7C199-35SC CYPRESS

获取价格

 		32K x 8 Static RAM
CY7C199-35SI CYPRESS

获取价格

 		32K x 8 Static RAM
CY7C199-35VC CYPRESS

获取价格

 		32K x 8 Static RAM
CY7C199-35VCR CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
CY7C199-35VCT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
CY7C199-35VI CYPRESS

获取价格

 		32K x 8 Static RAM
CY7C199-35VIT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28

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