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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 8.76 | 最长访问时间： | 15 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.177 mm | 内存密度： | 64 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 16 words |
| 字数代码： | 16 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16X4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.826 mm |
| 最大待机电流： | 0.09 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C190-25DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X4, 25ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |
|
| CY7C190-25DMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X4, 25ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |
|
| CY7C190-25KMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X4, 25ns, CMOS, CDFP16 |
|
| CY7C190-25LC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X4, 25ns, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
|
| CY7C190-25LMB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| CY7C190-25PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X4, 25ns, CMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16 |
|
| CY7C191*BV18 | CYPRESS |
获取价格 |
RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
|
| CY7C1910BV18 | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
|
| CY7C1910BV18-167BZC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
|
| CY7C1910BV18-167BZI | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architectur |
|
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