是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 300 MHz | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 75497472 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1513AV18-300BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur | |
CY7C1513AV18-300BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur | |
CY7C1513JV18 | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture | |
CY7C1513JV18-167BZC | CYPRESS |
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CY7C1513JV18-167BZI | CYPRESS |
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CY7C1513JV18-167BZXC | CYPRESS |
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CY7C1513JV18-167BZXI | CYPRESS |
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CY7C1513JV18-250BZC | CYPRESS |
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CY7C1513JV18-250BZI | CYPRESS |
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CY7C1513JV18-250BZXC | CYPRESS |
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