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CY7C1481V33-150BGC

更新时间: 2024-09-17 22:23:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 639K
描述
2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM

CY7C1481V33-150BGC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
针数:119Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:5.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):150 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0长度:22 mm
内存密度:75497472 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:36功能数量:1
端子数量:119字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5/3.3,3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.4 mm
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

CY7C1481V33-150BGC 数据手册

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