是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 6.5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 75497472 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1473V33-133BZC | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture | |
CY7C1473V33-133BZI | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Throug | |
CY7C1473V33-133BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture | |
CY7C1473V33-133BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Throug | |
CY7C147-45DMB | CYPRESS |
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4K x 1 STATIC RAM | |
CY7C147-45KMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, CDFP18, CERPACK-18 | |
CY7C147-45LC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18 | |
CY7C147-45LMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18 | |
CY7C147-45PC | CYPRESS |
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4K x 1 STATIC RAM | |
CY7C1474BV25 | CYPRESS |
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72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined S |