是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 6.5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.4 mm |
最大待机电流: | 0.07 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.21 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1381C-133BZC | CYPRESS |
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18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25 | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-100AC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-100AI | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-100BGC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-100BGI | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-100BZC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-100BZI | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-117AC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1381CV25-117AI | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |