是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.7 |
最长访问时间: | 3 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.07 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 13 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1380D-200BZXI | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1380D-250AXC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1380D-250AXCT | ROCHESTER |
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512KX36 CACHE SRAM, 2.6ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026 | |
CY7C1380D-250AXI | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1380D-250BGC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1380D-250BGI | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 | |
CY7C1380D-250BGXC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1380D-250BGXI | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY7C1380D-250BZC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM | |
CY7C1380D-250BZI | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM |