是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.94 |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 电源: | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.29 A | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.85 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C1145KV18-400BZXC | CYPRESS |
完全替代 |
18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Archite |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1165KV18-400BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) | |
CY7C1165KV18-400BZXC | INFINEON |
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Synchronous SRAM | |
CY7C1165KV18-550BZC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) | |
CY7C1165KV18-550BZC | INFINEON |
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Synchronous SRAM | |
CY7C1165KV18-550BZXC | CYPRESS |
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18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) | |
CY7C1165V18 | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1165V18-300BZC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1165V18-300BZI | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1165V18-300BZXC | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1165V18-300BZXI | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu |