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CY7C109B-15VCT PDF预览

CY7C109B-15VCT

更新时间： 2024-11-20 13:07:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 379K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

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CY7C109B-15VCT 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ,
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.57Is Samacsys：N
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0长度：20.955 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C109B-15VCT 数据手册

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CY7C109B  
CY7C1009B  
128K x 8 Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• High speed  
The CY7C109B/CY7C1009B is a high-performance CMOS  
static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy  
memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable  
(CE1), an active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW  
Output Enable (OE), and tri-state drivers. Writing to the device  
is accomplished by taking Chip Enable One (CE1) and Write  
Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable Two (CE2) input  
HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then  
written into the location specified on the address pins (A0  
through A16).  
— tAA = 12 ns  
• Low active power  
— 495 mW (max.)  
• Low CMOS standby power  
— 11 mW (max.) (L Version)  
• 2.0V Data Retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable One (CE1) and Output Enable (OE) LOW while forcing  
Write Enable (WE) and Chip Enable Two (CE2) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location  
specified by the address pins will appear on the I/O pins.  
• CY7C109B is available in standard 400-mil-wide SOJ  
and 32-pin TSOP type I packages. The CY7C1009B is  
available in a 300-mil-wide SOJ package  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE1  
HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
during a write operation (CE1 LOW, CE2 HIGH, and WE LOW).  
CY7C109B is available in standard 400-mil-wide SOJ and 32-  
pin TSOP type I packages. The CY7C1009B is available in a  
300-mil-wide SOJ package. The CY7C109B and CY7C1009B  
are functionally equivalent in all other respects  
Pin Configurations[2]  
Logic Block Diagram  
SOJ  
Top View  
V
NC  
32  
31  
30  
1
CC  
A
16  
A
15  
CE  
2
3
4
A
14  
2
A
12  
29  
28  
WE  
5
A
7
A
6
A
5
A
A
A
13  
8
27  
26  
6
7
9
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
8
9
10  
11  
12  
13  
A
4
3
11  
I/O  
0
OE  
A
A
A
10  
INPUT BUFFER  
2
1
CE  
I/O  
I/O  
1
7
6
I/O  
I/O  
A
I/O  
1
0
0
A
0
20  
19  
A
1
I/O  
I/O  
GND  
I/O  
1
5
14  
15  
16  
2
A
2
I/O  
I/O  
2
18  
17  
4
3
A
3
4
A
I/O  
I/O  
I/O  
128K x 8  
ARRAY  
3
4
5
A
A
11  
1
2
32  
31  
OE  
5
6
A
A
A
A
9
8
10  
3
4
5
6
7
8
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CE  
I/O  
A
7
8
A
13  
7
A
WE  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
6
5
CE  
2
A
15  
TSOP I  
4
3
V
Top View  
CC  
I/O  
6
7
NC  
9
GND  
(not to scale)  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
A
I/O  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
16  
2
CE  
2
WE  
1
I/O  
1
A
CE  
14  
A
I/O  
I/O  
12  
0
A
A
0
7
A
A
6
1
A
2
OE  
A
A
5
4
A
3
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
2. NC pins are not connected on the die.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05038 Rev. *C  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
[+] Feedback  
1234567...10

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