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CY7C1049GN-10VXI

更新时间： 2024-09-17 19:30:11

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	384K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, SOJ-36

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CY7C1049GN-10VXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOJ,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	2.19	最长访问时间：	10 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-J36	长度：	23.495 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1049GN-10VXI 数据手册

CY7C1049GN

4-Mbit (512K words × 8-bit) Static RAM

4-Mbit (512K words

× 8-bit) Static RAM

Features

Functional Description

■ High speed

❐ t_AA= 10 ns

CY7C1049GN is a high-performance CMOS fast static RAM

device organized as 512K words by 8-bits.

Data writes are performed by asserting the Chip Enable (CE) and

Write Enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O₀

through I/O₇and address on A₀through A₁₈pins.

■ Low active and standby currents

❐ Active current: I_CC= 38 mA typical

❐ Standby current: I_SB2= 6 mA typical

Data reads are performed by asserting the Chip Enable (CE) and

■ Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, and

4.5 V to 5.5 V

Output Enable (OE) inputs LOW and providing the required

address on the address lines. Read data is accessible on the I/O

lines (I/O₀through I/O₇).

■ 1.0 V data retention

All I/Os (I/O₀through I/O₇) are placed in a high-impedance state

during the following events:

■ TTL-compatible inputs and outputs

■ Pb-free 36-pin SOJ and 44-pin TSOP II packages

■ The device is deselected (CE HIGH)

■ The control signal OE is de-asserted

The logic block diagram is on page 2.

Product Portfolio

Power Dissipation

Speed

Operating I_CC, (mA)

(ns)

Product

Range

V_CCRange (V)

Standby, I_SB2(mA)

f = f_max

Typ^[1]

10/15

Max

Typ^[1]

Max

CY7C1049GN18

Industrial

1.65 V–2.2 V

2.2 V–3.6 V

4.5 V–5.5 V

–

CY7C1049GN30

CY7C1049GN

Note

1. Typical values are included only for reference and are not guaranteed or tested. Typical values are measured at V = 1.8 V (for a V range of 1.65 V–2.2 V),

= 3 V (for a V range of 2.2 V–3.6 V), and V = 5 V (for a V range of 4.5 V–5.5 V), T = 25 °C.

CC CC CC A

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 002-10613 Rev. *C

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised November 14, 2017

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1049GN-10VXIT	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY7C1049GN18	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512K words Ã 8 bit) Static RAM
CY7C1049GN30	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512K words Ã 8 bit) Static RAM
CY7C1049GN30-10VXI	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY7C1049GN30-10VXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, SOJ-36
CY7C1049GN30-10VXIT	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY7C1049GN30-10ZSXI	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY7C1049GN30-10ZSXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
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