是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 10 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 18.415 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.194 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1049CV33AUTO | CYPRESS |
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4-Mbit (512 K × 8) Static RAM TTL-compatible | |
CY7C1049D | CYPRESS |
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4-Mbit (512K x 8) Static RAM | |
CY7C1049D_11 | CYPRESS |
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4-Mbit (512 K × 8) Static RAM TTL-compatible | |
CY7C1049D-10VXI | CYPRESS |
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4-Mbit (512K x 8) Static RAM | |
CY7C1049D-15VXC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 | |
CY7C1049DV33 | CYPRESS |
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4-Mbit (512K x 8) Static RAM | |
CY7C1049DV33_07 | CYPRESS |
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4-Mbit (512K x 8) Static RAM | |
CY7C1049DV33_11 | CYPRESS |
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4-Mbit (512 K x 8) Static RAM Automatic power down when deselected | |
CY7C1049DV33-10VXI | CYPRESS |
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4-Mbit (512K x 8) Static RAM | |
CY7C1049DV33-10VXI | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 |