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CY7C1041V33-15ZCT PDF预览

CY7C1041V33-15ZCT

更新时间： 2024-11-10 07:52:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 180K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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CY7C1041V33-15ZCT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：SOP,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL

CY7C1041V33-15ZCT 数据手册

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V33  
CY7C1041V33  
256K x 16 Static RAM  
written into the location specified on the address pins (A  
Features  
0
through A ). If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data  
17  
• High speed  
from I/O pins (I/O through I/O ) is written into the location  
8
15  
specified on the address pins (A through A ).  
0
17  
— t = 15 ns  
AA  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the  
Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW,  
then data from the memory location specified by the address  
pins will appear on I/O to I/O . If Byte High Enable (BHE) is  
• Low active power  
— 612 mW (max.)  
• Low CMOS standby power (Commercial L version)  
— 1.8 mW (max.)  
0
7
LOW, then data from memory will appear on I/O to I/O . See  
8
15  
• 2.0V Data Retention (600 W at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
µ
the truth table at the back of this data sheet for a complete  
description of read and write modes.  
The input/output pins (I/O through I/O ) are placed in a  
0
15  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE  
are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a write operation (CE  
LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1041V33 is a high-performance CMOS Static RAM  
organized as 262,144 words by 16 bits.  
The CY7C1041V33 is available in  
a standard 44-pin  
400-mil-wide body width SOJ and 44-pin TSOP II package  
with center power and ground (revolutionary) pinout.  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte Low Enable  
(BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O through I/O ), is  
0
7
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
TSOP II  
Top View  
INPUT BUFFER  
A
44  
1
0
A
A
A
A
OE  
BHE  
BLE  
I/O  
I/O  
I/O  
0
17  
16  
15  
A
43  
42  
41  
40  
39  
38  
1
A
2
3
4
5
6
1
A
2
A
2
I/O0 – I/O7  
I/O8 – I/O15  
256K x 16  
ARRAY  
A
3
4
A
3
A
A
4
1024 x 4096  
A
5
6
CE  
A
I/O  
7
0
15  
A
7
8
37  
36  
35  
34  
33  
I/O  
I/O  
8
1
2
14  
13  
12  
A
9
10  
11  
12  
13  
I/O  
V
SS  
I/O  
3
CC  
V
SS  
COLUMN  
DECODER  
V
V
CC  
I/O  
32  
I/O  
I/O  
4
5
6
7
11  
10  
I/O  
I/O  
I/O  
31  
30  
29  
28  
14  
15  
16  
I/O  
I/O  
NC  
9
8
WE 17  
BHE  
18  
27  
26  
25  
A
14  
A
WE  
CE  
OE  
5
19  
A
6
A
13  
A
20  
21  
22  
A
7
12  
A
BLE  
A
24  
23  
11  
8
9
A
A
10  
1041V33–1  
1041V33–2  
Selection Guide  
1041V33-12 1041V33-15 1041V33-17 1041V33-20 1041V33-25  
Maximum Access Time (ns)  
12  
190  
8
15  
170  
8
17  
160  
8
20  
150  
8
25  
130  
8
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby Current (mA) Com’l/Ind’l  
Com’l  
L
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
Shaded areas contain preliminary information.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
June 2, 1999  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		256K x 16 Static RAM
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