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CY7C1020V33-20VC

更新时间: 2024-01-22 12:12:47
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 443K
描述
x16 SRAM

CY7C1020V33-20VC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.87最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL

CY7C1020V33-20VC 数据手册

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