是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.34 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.95 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP32,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.0003 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.13 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1019B-15ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C1019B-15ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, TSOP2-32 | |
CY7C1019BN | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C1019BN-12VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C1019BN-12VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 | |
CY7C1019BN-12ZC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C1019BN-12ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 | |
CY7C1019BN-12ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C1019BN-12ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 | |
CY7C1019BN-15VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |