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CY7C1018V33-12VC

更新时间： 2024-11-05 21:55:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
7页 155K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C1018V33-12VC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, SOJ-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.35最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0长度：20.828 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大待机电流：0.005 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.16 mA最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：7.5819 mm
Base Number Matches：1

CY7C1018V33-12VC 数据手册

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3
CY7C1018V33  
CY7C1019V33  
128K x 8 Static RAM  
pins (I/O through I/O ) is then written into the location speci-  
Features  
0
7
fied on the address pins (A through A ).  
0
16  
• High speed  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
— t = 10 ns  
AA  
• CMOS for optimum speed/power  
• Center power/ground pinout  
• Automatic power-down when deselected  
• Easy memory expansion with CE and OE options  
The eight input/output pins (I/O through I/O ) are placed in a  
0
7
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1018V33/CY7C1019V33 is a high-performance  
CMOS static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy  
memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable  
(CE), an active LOW Output Enable (OE), and three-state driv-  
ers. This device has an automatic power-down feature that  
significantly reduces power consumption when deselected.  
The CY7C1018V33 is available in a standard 300-mil-wide  
SOJ and CY7C1019V33 is available in  
400-mil-wide package. The CY7C1018V33  
a
standard  
and  
CY7C1019V33 are functionally equivalent in all other re-  
spects.  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
A
A
A
A
32  
31  
30  
1
2
3
4
5
6
0
1
16  
15  
A
A
A
2
14  
13  
I/O  
0
A
29  
28  
3
INPUT BUFFER  
CE  
OE  
I/O  
I/O  
I/O  
1
I/O  
2
27  
26  
I/O  
0
1
A
0
7
A
1
I/O  
V
7
8
9
6
A
2
25  
24  
23  
22  
21  
V
CC  
SS  
A
3
4
V
V
SS  
A
CC  
I/O  
3
I/O  
4
I/O  
5
512 x 256 x 8  
ARRAY  
A
6
I/O  
I/O  
I/O  
5
10  
11  
12  
13  
2
3
5
4
A
I/O  
A
A
7
8
WE  
12  
A
A
A
4
11  
20  
19  
A
5
A
6
A
A
A
10  
14  
15  
16  
I/O  
6
18  
17  
POWER  
DOWN  
9
8
COLUMN  
DECODER  
CE  
A
7
I/O  
7
WE  
1019V33–2  
1019V33–1  
OE  
Selection Guide  
7C1018V33-12  
7C1019V33-12  
7C1018V33-15  
7C1019V33-15  
7C1019V33-10  
Maximum Access Time (ns)  
10  
175  
5
12  
160  
5
15  
145  
5
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum Standby Current (mA)  
L
−
0.5  
0.5  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
October 18, 1999  
1234567

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与CY7C1018V33-12VC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1018V33-12VCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, SOJ-32
CY7C1018V33-15VC CYPRESS

获取价格

 		128K x 8 Static RAM
CY7C1018V33-15VCT CYPRESS

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