是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 8 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 12582912 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 24 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX24 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 220 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.4 mm | 最大待机电流: | 0.05 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C1012AV33-10BGI | CYPRESS |
完全替代 |
512K x 24 Static RAM | |
CY7C1012AV33-10BGC | CYPRESS |
完全替代 |
512K x 24 Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1012AV33-8BGIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX24, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 | |
CY7C1012DV33 | CYPRESS |
获取价格 |
12-Mbit (512K X 24) Static RAM | |
CY7C1012DV33_07 | CYPRESS |
获取价格 |
12-Mbit (512K X 24) Static RAM | |
CY7C1012DV33_09 | CYPRESS |
获取价格 |
12-Mbit (512K X 24) Static RAM | |
CY7C1012DV33-10BGXI | CYPRESS |
获取价格 |
12-Mbit (512K X 24) Static RAM | |
CY7C1012DV33-10BGXIT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 | |
CY7C1012DV33-8BGXC | CYPRESS |
获取价格 |
12-Mbit (512K X 24) Static RAM | |
CY7C101-35DC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM | |
CY7C101-35DMB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM | |
CY7C101-35LC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |