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CY7B134-35DI

更新时间: 2024-11-20 20:25:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 740K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, BICMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

CY7B134-35DI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T48
JESD-609代码:e0长度:60.96 mm
内存密度:32768 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:48
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP48,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.21 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BICMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

CY7B134-35DI 数据手册

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