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CY7B1061-5GMB

更新时间: 2024-09-17 10:03:19
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赛普拉斯 - CYPRESS 信息通信管理静态存储器内存集成电路
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1页 64K
描述
Cache SRAM, 128KX18, 3ns, BICMOS

CY7B1061-5GMB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:3 ns其他特性:3.3V GTL COMPATIBLE I/O
内存密度:2359296 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX18可输出:YES
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):3.3 V技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIALBase Number Matches:1

CY7B1061-5GMB 数据手册

  

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