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CY62256VLL-70ZCT

更新时间： 2024-11-25 20:44:15

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	423K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

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CY62256VLL-70ZCT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	8 X 13.40 MM, TSOP1-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.65	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000003 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

CY62256VLL-70ZCT 数据手册

CY62256V

256K (32K x 8) Static RAM

Features

Functional Description^[1]

• High Speed

The CY62256V family is composed of two high-performance

CMOS static RAM’s organized as 32K words by 8 bits. Easy

memory expansion is provided by an active LOW chip enable

(CE) and active LOW output enable (OE) and Tri-state drivers.

These devices have an automatic power-down feature,

reducing the power consumption by over 99% when

deselected.

— 70 ns

• Temperature Ranges

— Commercial: 0°C to 70°C

— Industrial: –40°C to 85°C

— Automotive: –40°C to 125°C

• Low voltage range:

An active LOW write enable signal (WE) controls the

writing/reading operation of the memory. When CE and WE

inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins

(I/O₀through I/O₇) is written into the memory location

addressed by the address present on the address pins (A₀

through A₁₄). Reading the device is accomplished by selecting

the device and enabling the outputs, CE and OE active LOW,

while WE remains inactive or HIGH. Under these conditions,

the contents of the location addressed by the information on

address pins are present on the eight data input/output pins.

— 2.7V – 3.6V

• Low active power and standby power

• Easy memory expansion with CE and OE features

• TTL-compatible inputs and outputs

• Automatic power-down when deselected

• CMOS for optimum speed/power

The input/output pins remain in a high-impedance state unless

the chip is selected, outputs are enabled, and write enable

(WE) is HIGH.

• Available in a Pb-free and non Pb-free standard 28-pin

narrow SOIC, 28-pin TSOP-1 and 28-pin Reverse

TSOP-1 packages

Logic Block Diagram

I/O

INPUTBUFFER

32K × 8

ARRAY

POWER

DOWN

COLUMN

DECODER

I/O

Note:

1. For best practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 38-05057 Rev. *F

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 25, 2006

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY62256VLL-70ZE	CYPRESS	获取价格	32K x 8 Static RAM
CY62256VLL-70ZET	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZI	CYPRESS	获取价格	32K x 8 Static RAM
CY62256VLL-70ZI	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZIT	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZRE	CYPRESS	获取价格	32K x 8 Static RAM
CY62256VLL-70ZRET	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZRI	CYPRESS	获取价格	32K x 8 Static RAM
CY62256VLL-70ZRI	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28

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