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Datasheet > 存储 > SRAM> CY62256L-70SNXC
CY62256L-70SNXC PDF预览

CY62256L-70SNXC

更新时间： 2024-01-28 22:07:12
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 476K
描述
256K (32K x 8) Static RAM

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CY62256L-70SNXC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：REVERSE, TSOP1-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.7最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified反向引出线：YES
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00005 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

CY62256L-70SNXC 数据手册

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CY62256  
256K (32K x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• High speed  
The CY62256 is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 32K words by 8 bits. Easy memory expansion is  
provided by an active LOW chip enable (CE) and active LOW  
output enable (OE) and Tri-state drivers. This device has an  
automatic power-down feature, reducing the power  
consumption by 99.9% when deselected.  
— 55 ns  
• Temperature Ranges  
— Commercial: 0°C to 70°C  
— Industrial: –40°C to 85°C  
— Automotive: –40°C to 125°C  
• Voltage range  
An active LOW write enable signal (WE) controls the  
writing/reading operation of the memory. When CE and WE  
inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins  
(I/O0 through I/O7) is written into the memory location  
addressed by the address present on the address pins (A0  
through A14). Reading the device is accomplished by selecting  
the device and enabling the outputs, CE and OE active LOW,  
while WE remains inactive or HIGH. Under these conditions,  
the contents of the location addressed by the information on  
address pins are present on the eight data input/output pins.  
— 4.5V – 5.5V  
• Low active power and standby power  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
The input/output pins remain in a high-impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and write enable  
(WE) is HIGH.  
• Available in a Pb-free and non Pb-free standard 28-pin  
narrow SOIC, 28-pin TSOP-1, 28-pin Reverse TSOP-1  
and 28-pin DIP packages  
Logic Block Diagram  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
3
4
5
6
INPUTBUFFER  
A
A
A
10  
9
8
A
7
6
5
32K × 8  
ARRAY  
A
A
A
A
A
4
3
2
CE  
WE  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
7
OE  
Note:  
1. For best practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05248 Rev. *F  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
[+] Feedback  
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CY62256L-70SNXC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62256LL-70SNXI CYPRESS

完全替代

 256K (32K x 8) Static RAM
CY62256LL-70SNXC CYPRESS

完全替代

 256K (32K x 8) Static RAM
CY62256NL-70SNXC CYPRESS

完全替代

 256K (32K x 8) Static RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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