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Datasheet > 存储 > SRAM> CY62148ESL-55ZAXI
CY62148ESL-55ZAXI PDF预览

CY62148ESL-55ZAXI

更新时间： 2024-01-06 17:06:29
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 324K
描述
4-Mbit (512K x 8) Static RAM

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CY62148ESL-55ZAXI 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TSOP包装说明：TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.24
Is Samacsys：N最长访问时间：55 ns
其他特性：IT ALSO OPERATES AT 5V SUPPLYI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e4
长度：11.8 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000007 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CY62148ESL-55ZAXI 数据手册

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CY62148ESL MoBL®  
4-Mbit (512K x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■
■
■
Very high speed: 55 ns  
The CY62148ESL is a high performance CMOS static RAM  
organized as 512K words by 8 bits. This device features  
advanced circuit design to provide ultra low active current. This  
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable  
applications such as cellular telephones. The device also has an  
automatic power down feature that significantly reduces power  
consumption. Placing the device into standby mode reduces  
power consumption by more than 99 percent when deselected  
(CE HIGH). The eight input and output pins (IO0 through IO7) are  
placed in a high impedance state when the device is deselected  
(CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW and WE LOW).  
Wide voltage range: 2.2V to 3.6V and 4.5V to 5.5V  
Ultra low standby power  
❐
Typical standby current: 1 μA  
Maximum standby current: 7 μA  
❐
■
Ultra low active power  
Typical active current: 2 mA at f = 1 MHz  
❐
■
■
■
■
Easy memory expansion with CE and OE features  
Automatic power down when deselected  
CMOS for optimum speed and power  
To write to the device, take Chip Enable (CE) and Write Enable  
(WE) inputs LOW. Data on the eight IO pins (IO0 through IO7) is  
then written into the location specified on the address pins (A0  
through A18).  
Available in Pb-free 32-pin STSOP package  
To read from the device, take Chip Enable (CE) and Output  
Enable (OE) LOW while forcing Write Enable (WE) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location specified  
by the address pins appear on the IO pins.  
For best practice recommendations, refer to the Cypress  
application note AN1064, SRAM System Guidelines.  
Logic Block Diagram  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IO  
0
INPUT BUFFER  
IO  
1
IO  
2
512K x 8  
ARRAY  
IO  
3
IO  
4
9
10  
11  
12  
IO  
5
IO  
6
CE  
IO  
POWER  
DOWN  
7
COLUMN DECODER  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-50045 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose  
,
CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised January 21, 2009  
[+] Feedback  
1234567...10

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CY62148ESL-55ZAXI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62148ESL-55ZAXA CYPRESS

功能相似

 4-Mbit (512 K × 8) Static RAM

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