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Datasheet > 暂无类别数据> CY62148BNLL-70SI
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CY62148BNLL-70SI

更新时间： 2024-09-27 06:51:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 319K
描述
4-Mbit (512K x 8) Static RAM

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CY62148BNLL-70SI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.450 INCH, SOIC-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.71Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：20.4465 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP32,.56封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.997 mm
最大待机电流：0.00002 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：11.303 mm
Base Number Matches：1

CY62148BNLL-70SI 数据手册

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CY62148BN MoBL®  
4-Mbit (512K x 8) Static RAM  
Functional Description  
Features  
• High Speed  
The CY62148BN is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 512K words by 8 bits. Easy memory expansion  
is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active  
LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. This device  
has an automatic power-down feature that reduces power  
consumption by more than 99% when deselected.  
— 70 ns  
• 4.5V–5.5V operation  
• Low active power  
— Typical active current: 2.5 mA @ f = 1 MHz  
— Typical active current:12.5 mA @ f = fmax(70 ns)  
• Low standby current  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location  
specified on the address pins (A0 through A18).  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
• CMOS for optimum speed/power  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH for read. Under these conditions, the  
contents of the memory location specified by the address pins  
will appear on the I/O pins.  
• Available in standard lead-free and non-lead-free  
32-lead (450-mil) SOIC, 32-lead TSOP II and 32-lead  
Reverse TSOP II packages  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Logic Block Diagram  
I/O  
0
INPUT BUFFER  
I/O  
I/O  
1
2
A
0
A
1
A
4
A
5
A
6
I/O  
I/O  
I/O  
3
4
5
512K x 8  
ARRAY  
A
7
A
12  
A
14  
A
16  
A
17  
I/O  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
I/O  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06517 Rev. *A  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 2, 2006  
[+] Feedback  
1234567...10

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CY62148BNLL-70SI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62148ELL-45SXI CYPRESS

功能相似

 Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32
CY62148BLL-70SC CYPRESS

功能相似

 512K x 8 Static RAM
TC554001AF-70L TOSHIBA

功能相似

 524,228 WORDS x 8 BIT STATIC RAM

与CY62148BNLL-70SI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62148BNLL-70SXC CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148BNLL-70SXCT CYPRESS

获取价格

 		暂无描述
CY62148BNLL-70SXI CYPRESS

获取价格

 		4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148BNLL-70SXIT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32,
CY62148BNLL-70ZC CYPRESS

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