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Datasheet > 存储 > SRAM> CY62128EV30LL-45SXAT
CY62128EV30LL-45SXAT PDF预览

CY62128EV30LL-45SXAT

更新时间： 2024-01-29 12:29:48
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 872K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-32

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CY62128EV30LL-45SXAT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSOP1, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：1.38
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：891613Samacsys Pin Count：32
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：CY62128ELL-45ZXITSamacsys Released Date：2020-03-25 11:04:09
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000003 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.016 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.2 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：8 mmBase Number Matches：1

CY62128EV30LL-45SXAT 数据手册

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CY62128EV30 MoBL®  
1 Mbit (128K x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■ Very High Speed: 45 ns  
The CY62128EV30[1] is a high performance CMOS static RAM  
module organized as 128K words by 8 bits. This device features  
advanced circuit design to provide ultra low active current. This  
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable  
applications such as cellular telephones. The device also has an  
automatic power down feature that significantly reduces power  
consumption when addresses are not toggling. Placing the  
device into standby mode reduces power consumption by more  
than 99 percent when deselected (CE1 HIGH or CE2 LOW). The  
eight input and output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high impedance state when the device is deselected (CE1 HIGH  
or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or a write  
operation is in progress (CE1 LOW and CE2 HIGH and WE  
LOW).  
■ Temperature Ranges:  
❐ Industrial: –40°C to +85°C  
❐ Automotive-A: –40°C to +85°C  
❐ Automotive-E: –40°C to +125°C  
■ Wide Voltage Range: 2.2 V to 3.6 V  
■ Pin Compatible with CY62128DV30  
■ Ultra Low Standby Power  
❐ Typical standby current: 1 μA  
❐ Maximum standby current: 4 μA  
■ Ultra Low Active Power  
To write to the device, take Chip Enable (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins is then written into the location specified on the Address pin  
(A0 through A16).  
❐ Typical active current: 1.3 mA @ f = 1 MHz  
■ Easy Memory Expansion with CE1, CE2 and OE Features  
■ Automatic Power Down when Deselected  
To read from the device, take Chip Enable (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write Enable  
(WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the memory  
location specified by the address pins appear on the I/O pins.  
■ CMOS for Optimum Speed and Power  
■ Offered in Pb-free 32-pin SOIC, 32-pin TSOP I, and 32-pin  
STSOP Packages  
Logic Block Diagram  
IO  
0
INPUT BUFFER  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IO  
1
IO  
2
128K x 8  
ARRAY  
IO  
3
IO  
IO  
IO  
IO  
4
5
6
7
A
A
A
9
10  
11  
CE  
CE  
1
2
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
WE  
OE  
Note  
1. For best practice recommendations, refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” at http://www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05579 Rev. *E  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised May 05, 2009  
[+] Feedback  
1234567...12

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CY62128EV30LL-45SXAT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62128EV30LL-45SXA CYPRESS

完全替代

 1 Mbit (128K x 8) Static RAM

与CY62128EV30LL-45SXAT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62128EV30LL-45SXI CYPRESS

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 		1 Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128EV30LL-45SXI INFINEON

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 		Asynchronous SRAM
CY62128EV30LL-45SXIT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32
CY62128EV30LL-45SXIT INFINEON

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 		Asynchronous SRAM
CY62128EV30LL-45ZAXA CYPRESS

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 		暂无描述
CY62128EV30LL-45ZAXAT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP-32
CY62128EV30LL-45ZAXI CYPRESS

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 		1 Mbit (128K x 8) Static RAM
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