是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.76 |
最长访问时间: | 150 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY27C64-150JCR | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C64-150JCT | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C64-150JI | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C64-150JIR | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C64-150JIT | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C64-150PC | ETC |
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x8 EPROM | |
CY27C64-150WC | CYPRESS |
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UVPROM, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
CY27C64-150WI | CYPRESS |
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UVPROM, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
CY27C64-150WM | CYPRESS |
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UVPROM, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
CY27C64-200JC | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |