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CY15B116QSN-108BKXIT

更新时间： 2024-11-19 14:56:11
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英飞凌 - INFINEON /
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113页 1077K
描述
16Mb 3.0V Industrial 108MHz QSPI EXCELON? F-RAM in 24-ball FBGA

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CY15B116QSN-108BKXIT 数据手册

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CY15B116QSN, CY15V116QSN  
16Mb EXCELON™ Ultra Ferroelectric RAM (F-RAM)  
Serial (Quad SPI), 2048K × 8, 108MHz, industrial  
Features  
• 16-Mb ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 2048K 8  
- Virtually unlimited endurance of 100 trillion (1014) read/write cycles  
- 151-year data retention (see “Data retention and endurance” on page 96)  
- Infineon instant non-volatile write technology  
- Advanced high-reliability ferroelectric process  
• Single and multi I/O serial peripheral interface (SPI)  
- Serial bus interface SPI protocols  
- Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1) for all SDR mode transfers  
- Supports SPI mode 0 (0, 0) for all DDR mode transfers  
- Extended I/O SPI protocols  
- Dual SPI (DPI) protocols  
- Quad SPI (QPI) protocols  
• SPI clock frequency  
- Up to 108 MHz frequency SPI single data rate (SDR)  
- Up to 46 MHz frequency SPI double data rate (DDR)  
• eXecute-In-Place (XIP) for memory read/write  
• Write protection, data security, and data integrity  
• Hardware protection using the write protect (WP) pin  
• Software block protection  
• Embedded error correction code (ECC) and cyclic redundancy check (CRC) for enhanced data integrity  
- ECC detects and corrects 2-bit error. If a 3-bit error occurs, it does not correct but reports through the ECC  
Status Register  
- CRC detects any accidental change to raw data  
• Extended electronic signatures  
- Device ID includes manufacturer ID and product ID  
- Unique ID  
- User programmable serial number  
• Dedicated 256-byte special sector F-RAM  
- Dedicated special sector write and read  
- Content can survive up to three standard reflow cycles  
• Low-power consumption at high speed  
- 14 mA (typ) active current for 108 MHz SPI SDR  
- 22 mA (typ) active current for 108 MHz QSPI SDR  
- 16.5 mA (typ) active current for 46 MHz QSPI DDR  
- 115 µA (typ) standby current  
- 1.1 µA (typ) deep power-down mode current  
- 0.1 µA (typ) Hibernate mode current  
• Low-voltage operation  
- CY15V116QSN: VDD = 1.71 V to 1.89 V  
- CY15B116QSN: VDD = 1.8 V to 3.6 V  
Datasheet  
www.infineon.com  
Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document  
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002-26981 Rev. *F  
2022-05-25  
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