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CY14V104NA-BA45XI PDF预览

CY14V104NA-BA45XI

更新时间： 2024-10-02 09:41:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 875K
描述
4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times

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CY14V104NA-BA45XI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.5Is Samacsys：N
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：10 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.008 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.052 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：6 mmBase Number Matches：1

CY14V104NA-BA45XI 数据手册

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CY14V104LA  
CY14V104NA  
4-Mbit (512 K × 8 / 256 K × 16) nvSRAM  
4-Mbit (512  
K × 8 / 256 K × 16) nvSRAM  
Features  
Functional Description  
■ 25 ns and 45 ns access times  
The Cypress CY14V104LA/CY14V104NA is a fast static RAM,  
with a non-volatile element in each memory cell. The memory is  
■ Internally organized as 512 K × 8 (CY14V104LA) or 256 K × 16  
(CY14V104NA)  
organized as 512 K bytes of 8 bits each or 256 K words of 16 bits  
each. The embedded non-volatile elements incorporate  
QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable  
non-volatile memory. The SRAM provides infinite read and write  
cycles, while independent non-volatile data resides in the highly  
reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the  
non-volatile elements (the STORE operation) takes place  
automatically at power-down. On power-up, data is restored to  
the SRAM (the RECALL operation) from the non-volatile  
memory. Both the STORE and RECALL operations are also  
available under software control.  
■ Hands off automatic STORE on power-down with only a small  
capacitor  
■ STORE to QuantumTrap non-volatile elements initiated by  
software, device pin, or AutoStore on power-down  
■ RECALL to SRAM initiated by software or power-up  
■ Infinite read, write, and recall cycles  
■ 1-million STORE cycles to QuantumTrap  
■ 20 year data retention  
■ Core VCC = 3.0 V to 3.6 V; IO VCCQ = 1.65 V to 1.95 V  
■ Industrial temperature  
■ 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package  
■ Pb-free and restriction of hazardous substances (RoHS)  
compliance  
Logic Block Diagram [1, 2, 3]  
VCAP  
VCC  
V
CCQ  
Quatrum Trap  
2048 X 2048  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
POWER  
R
O
W
CONTROL  
STORE  
RECALL  
STORE/RECALL  
CONTROL  
D
E
C
O
D
E
R
HSB  
STATIC RAM  
ARRAY  
2048 X 2048  
A7  
A8  
A17  
SOFTWARE  
DETECT  
A14 - A2  
A18  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
I
DQ4  
DQ5  
DQ6  
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
DQ7  
COLUMN I/O  
DQ8  
DQ9  
DQ10  
OE  
COLUMN DEC  
WE  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
CE  
BLE  
A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16  
DQ15  
BHE  
Notes  
1. Address A –A for × 8 configuration and Address A –A for × 16 configuration.  
0
18  
0
17  
2. Data DQ –DQ for × 8 configuration and Data DQ –DQ for × 16 configuration.  
0
7
0
15  
3. BHE and BLE are applicable for × 16 configuration only.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-53954 Rev. *F  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 6, 2011  
[+] Feedback  
1234567...22

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CY14V104NA-BA45XI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14V104NA-BA45XIT CYPRESS

完全替代

 4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY14V104NA-BA45XIT INFINEON

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 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104NA-BA45XIT CYPRESS

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 		4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V116F7 CYPRESS

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CY14V116G7 CYPRESS

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 		16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM
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