Datasheet > 存储 > SRAM> CY14V104NA-BA25XI

CY14V104NA-BA25XI

更新时间： 2024-11-24 09:41:11

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	875K
描述
4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY14V104NA-BA25XI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	10 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

CY14V104NA-BA25XI 数据手册

浏览型号CY14V104NA-BA25XI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号CY14V104NA-BA25XI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号CY14V104NA-BA25XI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号CY14V104NA-BA25XI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号CY14V104NA-BA25XI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号CY14V104NA-BA25XI的Datasheet PDF文件第7页

CY14V104LA

CY14V104NA

4-Mbit (512 K × 8 / 256 K × 16) nvSRAM

4-Mbit (512

K × 8 / 256 K × 16) nvSRAM

Features

Functional Description

■ 25 ns and 45 ns access times

The Cypress CY14V104LA/CY14V104NA is a fast static RAM,

with a non-volatile element in each memory cell. The memory is

■ Internally organized as 512 K × 8 (CY14V104LA) or 256 K × 16

(CY14V104NA)

organized as 512 K bytes of 8 bits each or 256 K words of 16 bits

each. The embedded non-volatile elements incorporate

QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable

non-volatile memory. The SRAM provides infinite read and write

cycles, while independent non-volatile data resides in the highly

reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the

non-volatile elements (the STORE operation) takes place

automatically at power-down. On power-up, data is restored to

the SRAM (the RECALL operation) from the non-volatile

memory. Both the STORE and RECALL operations are also

available under software control.

■ Hands off automatic STORE on power-down with only a small

capacitor

■ STORE to QuantumTrap non-volatile elements initiated by

software, device pin, or AutoStore on power-down

■ RECALL to SRAM initiated by software or power-up

■ Infinite read, write, and recall cycles

■ 1-million STORE cycles to QuantumTrap

■ 20 year data retention

■ Core V_CC= 3.0 V to 3.6 V; IO V_CCQ= 1.65 V to 1.95 V

■ Industrial temperature

■ 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package

■ Pb-free and restriction of hazardous substances (RoHS)

compliance

Logic Block Diagram ^{[1, 2, 3]}

V_CAP

V_CC

CCQ

Quatrum Trap

2048 X 2048

A₀

A₁

A₂

A₃

A₄

A₅

A₆

POWER

CONTROL

STORE

RECALL

STORE/RECALL

CONTROL

HSB

STATIC RAM

ARRAY

2048 X 2048

A₇

A₈

A₁₇

SOFTWARE

DETECT

A₁₄- A₂

A₁₈

DQ₀

DQ₁

DQ₂

DQ₃

DQ₄

DQ₅

DQ₆

DQ₇

COLUMN I/O

DQ₈

DQ₉

DQ₁₀

COLUMN DEC

DQ₁₁

DQ₁₂

DQ₁₃

DQ₁₄

BLE

A₉A₁₀A₁₁A₁₂A₁₃A₁₄A₁₅A₁₆

DQ₁₅

BHE

Notes

1. Address A –A for × 8 configuration and Address A –A for × 16 configuration.

2. Data DQ –DQ for × 8 configuration and Data DQ –DQ for × 16 configuration.

3. BHE and BLE are applicable for × 16 configuration only.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-53954 Rev. *F

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 6, 2011

[+] Feedback

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与CY14V104NA-BA25XI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14V104NA-BA25XIT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104NA-BA45XI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104NA-BA45XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104NA-BA45XIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104NA-BA45XIT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V116F7	CYPRESS	获取价格	16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface
CY14V116G7	CYPRESS	获取价格	16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface
CY14V116G7-BZ30XI	CYPRESS	获取价格	16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface
CY14V116G7-BZ30XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V116G7-BZ30XIT	CYPRESS	获取价格	16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface

与CY14V104NA-BA25XI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14V104NA-BA25XI

CY14V104NA-BA25XI 技术参数

CY14V104NA-BA25XI 数据手册

与CY14V104NA-BA25XI相关器件

与CY14V104NA-BA25XI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14V104NA-BA25XI

CY14V104NA-BA25XI 技术参数

CY14V104NA-BA25XI 数据手册

与CY14V104NA-BA25XI相关器件

与CY14V104NA-BA25XI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？