是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.5 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14V104NA-BA25XIT | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times | |
CY14V104NA-BA45XI | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times | |
CY14V104NA-BA45XI | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14V104NA-BA45XIT | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14V104NA-BA45XIT | CYPRESS |
获取价格 |
4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times | |
CY14V116F7 | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface | |
CY14V116G7 | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface | |
CY14V116G7-BZ30XI | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface | |
CY14V116G7-BZ30XI | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14V116G7-BZ30XIT | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit nvSRAM with Asynchronous NAND Interface |