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Datasheet > 存储 > SRAM> CY14MB064Q1B-SXI
CY14MB064Q1B-SXI PDF预览

CY14MB064Q1B-SXI

更新时间： 2024-02-07 02:01:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
28页 913K
描述
64-Kbit (8 K x 8) SPI nvSRAM

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CY14MB064Q1B-SXI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
Is Samacsys：NJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.889 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.727 mm
最大待机电流：0.00015 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：3.8985 mmBase Number Matches：1

CY14MB064Q1B-SXI 数据手册

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CY14MB064Q1B/CY14MB064Q2B  
CY14ME064Q1B/CY14ME064Q2B  
64-Kbit (8 K × 8) SPI nvSRAM  
64-Kbit (8  
K × 8) SPI nvSRAM  
■ Industry standard configurations  
❐ Operating voltages:  
Features  
■ 64-Kbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)  
internally organized as 8 K × 8  
❐ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated  
automatically on power-down (AutoStore) or by using SPI  
instruction (Software STORE)  
• CY14MB064Q1B/CY14MB064Q2B: VCC = 2.7 V to 3.6 V  
• CY14ME064Q1B/CY14ME064Q2B: VCC = 4.5 V to 5.5 V  
❐ Industrial temperature  
❐ 8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package  
❐ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant  
❐ RECALL to SRAM initiated on power-up (Power-Up  
RECALL) or by SPI instruction (Software RECALL)  
❐ Support automatic STORE on power-down with a small  
capacitor (except for CY14MX064Q1B)  
Functional Overview  
The Cypress CY14MX064Q combines a 64 Kbit nvSRAM with a  
nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface.  
The memory is organized as 8 K words of 8 bits each. The  
embedded nonvolatile elements incorporate the QuantumTrap  
technology, creating the world’s most reliable nonvolatile  
memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while  
the QuantumTrap cells provide highly reliable nonvolatile  
storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile  
elements (STORE operation) takes place automatically at  
power-down (except for CY14MX064Q1B). On power-up, data  
is restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL  
operation). You can also initiate the STORE and RECALL  
operations through SPI instruction.  
■ High reliability  
❐ Infinite read, write, and RECALL cycles  
❐ 1million STORE cycles to QuantumTrap  
❐ Data retention: 20 years at 85 C  
■ High speed serial peripheral interface (SPI)  
❐ 40-MHz clock rate SPI write and read with zero cycle delay  
❐ Supports SPI mode 0 (0,0) and mode 3 (1,1)  
■ SPI access to special functions  
❐ Nonvolatile STORE/RECALL  
❐ 8-byte serial number  
❐ Manufacturer ID and Product ID  
❐ Sleep mode  
Configuration  
Feature  
AutoStore  
CY14MX064Q1B CY14MX064Q2B  
■ Write protection  
No  
Yes  
Yes  
❐ Hardware protection using Write Protect (WP) pin  
❐ Software protection using Write Disable instruction  
❐ Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array  
Software STORE  
Yes  
■ Low power consumption  
❐ Average active current of 3 mA at 40 MHz operation  
❐ Average standby mode current of 120 A  
❐ Sleep mode current of 8 A  
Logic Block Diagram  
Serial Number  
8 x 8  
Manufacturer ID /  
Status Register  
Product ID  
QuantumTrap  
8 K x 8  
WRSR/RDSR/WREN  
RDSN/WRSN/RDID  
READ/WRITE  
STORE/RECALL/ASENB/ASDISB  
STORE  
SRAM  
8 K x 8  
SI  
CS  
Memory  
RECALL  
SPI Control Logic  
Write Protection  
Data & Address  
Control  
SCK  
Instruction decoder  
WP  
SO  
VCC  
VCAP  
SLEEP  
Power Control  
Block  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-70382 Rev. *H  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised May 6, 2013  
1234567...28

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CY14MB064Q1B-SXI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14MB064J2-SXIT CYPRESS

完全替代

 64-Kbit (8 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL
CY14MB064J2-SXI CYPRESS

完全替代

 64-Kbit (8 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL
N64S830HAS22I ONSEMI

类似代替

 64Kb Low Power Serial SRAMs 8K × 8 bit Organi

与CY14MB064Q1B-SXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY14MB064Q1B-SXIT CYPRESS

获取价格

 		64-Kbit (8 K x 8) SPI nvSRAM
CY14MB064Q2A-SXI CYPRESS

获取价格

 		64-Kbit (8 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
CY14MB064Q2A-SXIT CYPRESS

获取价格

 		64-Kbit (8 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
CY14MB064Q2A-SXQ INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14MB064Q2A-SXQT INFINEON

获取价格

 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14MB064Q2B CYPRESS

获取价格

 		64-Kbit (8 K x 8) SPI nvSRAM
CY14MB064Q2B-SXI CYPRESS

获取价格

 		64-Kbit (8 K × 8) SPI nvSRAM
CY14MB064Q2B-SXIT CYPRESS

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 		64-Kbit (8 K × 8) SPI nvSRAM
CY14MB256J CYPRESS

获取价格

 		256-Kbit (32 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM
CY14MB256J1-SXI CYPRESS

获取价格

 		256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM

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