Datasheet > 存储 > SRAM> CY14E104K-ZS20XI

CY14E104K-ZS20XI

更新时间： 2024-11-18 06:51:31

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
28页	712K
描述
4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock

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CY14E104K-ZS20XI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e4	长度：	18.415 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	混合内存类型：	N/A
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.194 mm	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY14E104K-ZS20XI 数据手册

PRELIMINARY

CY14E104K/CY14E104M

4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with

Real-Time-Clock

■ Watchdog timer

Features

■ Clock alarm with programmable interrupts

■ Capacitor or battery backup for RTC

■ 15 ns, 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

■ Internally organized as 512K x 8 (CY14E104K) or 256K x 16

(CY14E104M)

■ Commercial and industrial temperatures

■ 44/54-pin TSOP II package

■ Hands off automatic STORE on power down with only a small

capacitor

■ Pb-free and RoHS compliance

■ STORE to QuantumTrap^®nonvolatile elements is initiated by

software, device pin, or AutoStore^®on power down

Functional Description

■ RECALL to SRAM initiated by software or power up

■ High reliability

The Cypress CY14E104K/CY14E104M combines a 4 Mbit

nonvolatile static RAM with a full featured real-time-clock in a

monolithic integrated circuit. The embedded nonvolatile

elements incorporate QuantumTrap technology producing the

world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM is read and

written an infinite number of times, while independent nonvolatile

data resides in the nonvolatile elements.

■ Infinite read, write, and recall cycles

■ 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

■ 20 year data retention

The real-time-clock function provides an accurate clock with leap

year tracking and a programmable, high accuracy oscillator. The

alarm function is programmable for one time alarms or periodic

seconds, minutes, hours, or days. There is also a programmable

watchdog timer for process control.

■ Single 5V +10% operation

■ Data integrity of Cypress nvSRAM combined with full featured

Real-Time-Clock

Logic Block Diagram

V_CC

V_RTCcap

V_RTCbat

V_CAP

[1]

Address

A₀- A₁₈

DQ0 - DQ7

HSB

CY14E104K

CY14E104M

INT

X₁

BHE

BLE

X₂

V_SS

Note

1. Address A - A and DQ0 - DQ7 for x8 configuration, Address A - A and Data DQ0 - DQ15 for x16 configuration.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-09604 Rev. *H

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised June 20, 2008

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