Datasheet > 存储 > SRAM> CY14E102N-ZSP15XIT

CY14E102N-ZSP15XIT

更新时间： 2024-11-21 06:51:31

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	617K
描述
2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY14E102N-ZSP15XIT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e3	长度：	22.415 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	16	混合内存类型：	N/A
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	54	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY14E102N-ZSP15XIT 数据手册

浏览型号CY14E102N-ZSP15XIT的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号CY14E102N-ZSP15XIT的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号CY14E102N-ZSP15XIT的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号CY14E102N-ZSP15XIT的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号CY14E102N-ZSP15XIT的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号CY14E102N-ZSP15XIT的Datasheet PDF文件第7页

ADVANCE

CY14E102L, CY14E102N

2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM

Features

Functional Description

■ 15 ns, 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

The Cypress CY14E102L/CY14E102N is a fast static RAM, with

a nonvolatile element in each memory cell. The memory is

■ Internally organized as 256K x 8 (CY14E102L) or 128K x 16

(CY14E102N)

organized as 256K words of 8 bits each or 128K words of 16 bits

each. The embedded nonvolatile elements incorporate

QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable

nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write

cycles, while independent nonvolatile data reside in the highly

reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the

nonvolatile elements (the STORE operation) takes place

automatically at power down. On power up, data is restored to

the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory.

Both the STORE and RECALL operations are also available

under software control.

■ Hands off automatic STORE on power down with only a small

capacitor

■ STORE to QuantumTrap^™nonvolatile elements initiated by

software, device pin, or AutoStore^™on power down

■ RECALL to SRAM initiated by software or power up

■ Infinite read, write, and recall cycles

■ 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

■ 20 year data retention

■ Single 5V +10% operation

■ Commercial and Industrial temperatures

■ 48-pin FBGA, 44 and 54-pin TSOP II packages

■ Pb-free and RoHS compliance

Logic Block Diagram

CAP

[1]

A - A

Address

[1]

DQ0 - DQ7

CY14E102L

CY14E102N

HSB

BHE

BLE

Note

1. Address A - A and Data DQ0 - DQ7 for x8 configuration, Address A - A and Data DQ0 - DQ15 for x16 configuration.

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-45755 Rev. *A

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised June 27, 2008

[+] Feedback

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与CY14E102N-ZSP15XIT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14E102N-ZSP20XCT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP20XI	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP20XIT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP25XCT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP25XI	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP25XIT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP45XCT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP45XI	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E102N-ZSP45XIT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14E104K	CYPRESS	获取价格	4 Mbit (512K x 8 / 256K x 16) nvSRAM with Real-Time-Clock

与CY14E102N-ZSP15XIT相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14E102N-ZSP15XIT

CY14E102N-ZSP15XIT 技术参数

CY14E102N-ZSP15XIT 数据手册

与CY14E102N-ZSP15XIT相关器件

与CY14E102N-ZSP15XIT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14E102N-ZSP15XIT

CY14E102N-ZSP15XIT 技术参数

CY14E102N-ZSP15XIT 数据手册

与CY14E102N-ZSP15XIT相关器件

与CY14E102N-ZSP15XIT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？