是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 45 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 混合内存类型: | N/A |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.052 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14E102L-BA45XIT | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS15XI | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS15XIT | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS20XI | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS20XIT | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS25XCT | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS25XI | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS25XIT | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS45XCT | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM | |
CY14E102L-ZS45XI | CYPRESS |
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2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM |