Datasheet > CY14C101Q1A-SXIT

CY14C101Q1A-SXIT

更新时间： 2024-11-07 06:22:51

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	1496K
描述
Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY14C101Q1A-SXIT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.74
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.889 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.727 mm	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.8985 mm
Base Number Matches：	1

CY14C101Q1A-SXIT 数据手册

CY14C101Q

PRELIMINARY

CY14B101Q, CY14E101Q

1-Mbit (128 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM

1-Mbit (128

K × 8) Serial (SPI) nvSRAM

■ Industry standard configurations

❐ Operating voltages:

Features

■ 1-Mbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)

internally organized as 128 K × 8

❐ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated

automatically on power-down (AutoStore) or by using SPI

instruction (Software STORE) or HSB pin (Hardware

STORE)

• CY14C101Q: V_CC= 2.4 V to 2.6 V

• CY14B101Q: V_CC= 2.7 V to 3.6 V

• CY14E101Q: V_CC= 4.5 V to 5.5 V

❐ Industrial temperature

❐ 8- and 16-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

❐ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

❐ RECALL to SRAM initiated on power-up (Power-Up

RECALL) or by SPI instruction (Software RECALL)

❐ Support automatic STORE on power-down with a small

capacitor (except for CY14X101Q1A)

Functional Overview

The Cypress CY14X101Q combines a 1-Mbit nvSRAM with a

nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface.

The memory is organized as 128 K words of 8 bits each. The

embedded nonvolatile elements incorporate the QuantumTrap

technology, creating the world’s most reliable nonvolatile

memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while

the QuantumTrap cells provide highly reliable nonvolatile

storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile

elements (STORE operation) takes place automatically at

power-down (except for CY14X101Q1A). On power-up, data is

restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL

operation). You can also initiate the STORE and RECALL

operations through SPI instruction.

■ High reliability

❐ Infinite read, write, and RECALL cycles

❐ 1million STORE cycles to QuantumTrap

❐ Data retention: 20 years at 85 °C

■ 40 MHz, and 104 MHz High-speed serial peripheral interface

(SPI)

❐ 40-MHz clock rate SPI write and read with zero cycle delay

❐ 104-MHz clock rate SPI write and SPI read (with special fast

read instructions)

❐ Supports SPI mode 0 (0,0) and mode 3 (1,1)

■ SPI access to special functions

❐ Nonvolatile STORE/RECALL

❐ 8-byte serial number

❐ Manufacturer ID and Product ID

❐ Sleep mode

■ Write protection

❐ Hardware protection using Write Protect (WP) pin

❐ Software protection using Write Disable instruction

❐ Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array

■ Low power consumption

Configuration

Feature

CY14X101Q1A CY14X101Q2A CY14X101Q3A

AutoStore

Yes

Software

STORE

Yes

Hardware

STORE

Yes

❐ Average active current of 3 mA at 40 MHz operation

❐ Average standby mode current of 150 A

❐ Sleep mode current of 8 A

Logic Block Diagram

Serial Number

8 x 8

Manufacture ID/

Product ID

Status Register

Quantrum Trap

128 K x 8

WRSR/RDSR/WREN

RDSN/WRSN/RDID

STORE

SRAM

128 K x 8

Memory

Data & Address

Control

RECALL

READ/WRITE

SPI Control Logic

Write Protection

STORE/RECALL/ASENB/ASDISB

SCK

Instruction decoder

V_CC

V_CAP

SLEEP

Power Control

Block

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-54393 Rev. *E

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised April 6, 2011

[+] Feedback

12 3 4 5 6 7...34

中文翻译

下载PDF

与CY14C101Q1A-SXIT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14C101Q2A-S104XI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
CY14C101Q2A-S104XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
CY14C101Q2A-SXI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
CY14C101Q3A-SF104XI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-16
CY14C101Q3A-SF104XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-16
CY14C101Q3A-SFXI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-16
CY14C101Q3A-SFXIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-16
CY14C256I	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock Full-featured RTC
CY14C256I_12	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K Ã 8) Serial (I2C) nvSRAM with
CY14C256I_13	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock

与CY14C101Q1A-SXIT相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14C101Q1A-SXIT

CY14C101Q1A-SXIT 技术参数

CY14C101Q1A-SXIT 数据手册

与CY14C101Q1A-SXIT相关器件

与CY14C101Q1A-SXIT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14C101Q1A-SXIT

CY14C101Q1A-SXIT 技术参数

CY14C101Q1A-SXIT 数据手册

与CY14C101Q1A-SXIT相关器件

与CY14C101Q1A-SXIT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？