是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP16,.4 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.75 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 10.2865 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 16 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP16,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.336 mm | 最大待机电流: | 0.00025 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 7.4925 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY14B512I-SFXI | CYPRESS |
类似代替 |
512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14B512PA-SFXIT | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K x 8) SPI nvSRAM with Real Time Clock Full-featured RTC | |
CY14B512P-SFXI | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM with | |
CY14B512P-SFXIT | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM with | |
CY14B512Q | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles | |
CY14B512Q1 | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM | |
CY14B512Q1_12 | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K Ã 8) Serial (SPI) nvSRAM | |
CY14B512Q1_13 | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM | |
CY14B512Q1A-SXI | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K Ã 8) SPI nvSRAM | |
CY14B512Q1A-SXIT | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K Ã 8) SPI nvSRAM | |
CY14B512Q2 | CYPRESS |
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512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM |