是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.78 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
长度: | 22.415 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.075 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14B108M-ZSP20XIT | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock | |
CY14B108M-ZSP25XC | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock | |
CY14B108M-ZSP25XCT | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock | |
CY14B108M-ZSP25XI | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock | |
CY14B108M-ZSP25XI | INFINEON |
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nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B108M-ZSP25XIT | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock | |
CY14B108M-ZSP25XIT | INFINEON |
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nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B108M-ZSP45XC | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock | |
CY14B108M-ZSP45XCT | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock | |
CY14B108M-ZSP45XI | CYPRESS |
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8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock |