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CY14B108L-BA45XI

更新时间： 2024-11-06 06:51:31

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
24页	842K
描述
8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM

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CY14B108L-BA45XI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.58	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	10 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.057 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	6 mm

CY14B108L-BA45XI 数据手册

CY14B108L, CY14B108N

8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM

Features

Functional Description

■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times

The Cypress CY14B108L/CY14B108N is a fast static RAM, with

a nonvolatile element in each memory cell. The memory is

■ Internally Organized as 1024K x 8 (CY14B108L) or 512K x 16

(CY14B108N)

organized as 1024 Kbytes of 8 bits each or 512K words of 16 bits

each. The embedded nonvolatile elements incorporate

QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable

nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write

cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly

reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the

nonvolatile elements (the STORE operation) takes place

automatically at power down. On power up, data is restored to

the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory.

Both the STORE and RECALL operations are also available

under software control.

■ Hands off Automatic STORE on Power Down with only a Small

Capacitor

■ STORE to QuantumTrap Nonvolatile Elements Initiated by

Software, Device Pin, or AutoStore on Power Down

■ RECALL to SRAM Initiated by Software or Power Up

■ Infinite Read, Write, and RECALL Cycles

■ 200,000 STORE Cycles to QuantumTrap

■ 20 year Data Retention

■ Single 3V +20%, -10% Operation

■ Commercial and Industrial Temperatures

■ 48-Ball FBGA and 44/54-Pin TSOP-II Packages

■ Pb-free and RoHS Compliant

Logic Block Diagram^{[1, 2, 3]}

V_CAP

V_CC

Quatrum Trap

2048 X 2048 X 2

A₀

A₁

A₂

A₃

A₄

A₅

A₆

POWER

CONTROL

STORE

RECALL

STORE/RECALL

CONTROL

HSB

STATIC RAM

ARRAY

2048 X 2048 X 2

A₇

A₈

A₁₇

SOFTWARE

DETECT

A₁₄- A₂

A₁₈

A₁₉

DQ₀

DQ₁

DQ₂

DQ₃

DQ₄

DQ₅

DQ₆

DQ₇

COLUMN I/O

DQ₈

DQ₉

DQ₁₀

COLUMN DEC

DQ₁₁

DQ₁₂

DQ₁₃

DQ₁₄

BLE

A₉A₁₀A₁₁A₁₂A₁₃A₁₄A₁₅A₁₆

DQ₁₅

BHE

Notes

1. Address A - A for x8 configuration and Address A - A for x16 configuration.

2. Data DQ - DQ for x8 configuration and Data DQ - DQ for x16 configuration.

3. BHE and BLE are applicable for x16 configuration only.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-45523 Rev. *D

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 30, 2009

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CY14B108L-BA45XI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY14B108L-BA45XIT	CYPRESS	完全替代	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM
CY14B108L-BA25XIT	CYPRESS	类似代替	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM
CY14B108L-BA25XI	CYPRESS	类似代替	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM

与CY14B108L-BA45XI相关器件

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CY14B108L-BA45XIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14B108L-ZS20XC	CYPRESS	获取价格	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM
CY14B108L-ZS20XCT	CYPRESS	获取价格	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM
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CY14B108L-ZS20XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
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