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CY14B104LA-ZS20XI

更新时间： 2024-11-07 06:51:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 845K
描述
4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

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CY14B104LA-ZS20XI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.41最长访问时间：20 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e4
长度：18.415 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.194 mm最大待机电流：0.005 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY14B104LA-ZS20XI 数据手册

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CY14B104LA, CY14B104NA  
4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM  
Features  
Functional Description  
■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times  
The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM,  
with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is  
■ Internally Organized as 512K x 8 (CY14B104LA) or 256K x 16  
(CY14B104NA)  
organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits  
each. The embedded nonvolatile elements incorporate  
QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable  
nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write  
cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly  
reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the  
nonvolatile elements (the STORE operation) takes place  
automatically at power down. On power up, data is restored to  
the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory.  
Both the STORE and RECALL operations are also available  
under software control.  
■ Hands Off Automatic STORE on Power Down with only a Small  
Capacitor  
■ STORE to QuantumTrap Nonvolatile Elements Initiated by  
Software, Device Pin, or AutoStore on Power Down  
■ RECALL to SRAM Initiated by Software or Power Up  
■ Infinite Read, Write, and Recall Cycles  
■ 200,000 STORE Cycles to QuantumTrap  
■ 20 year Data Retention  
■ Single 3V +20%, -10% Operation  
■ Commercial and Industrial Temperatures  
■ 48-Ball FBGA and 44/54-Pin TSOP-II Packages  
■ Pb-free and RoHS Compliance  
Logic Block Diagram[1, 2, 3]  
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Notes  
1. Address A - A for x8 configuration and Address A - A for x16 configuration.  
0
18  
0
17  
2. Data DQ - DQ for x8 configuration and Data DQ - DQ for x16 configuration.  
0
7
0
15  
3. BHE and BLE are applicable for x16 configuration only.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-49918 Rev. *B  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised May 22, 2009  
[+] Feedback  
1234567...23

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CY14B104LA-ZS20XI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14B104L-ZS20XIT CYPRESS

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 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
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