Datasheet > 存储 > SRAM> CY14B101Q3-SFXI

CY14B101Q3-SFXI

更新时间： 2024-02-21 16:24:44

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	1399K
描述
1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM

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CY14B101Q3-SFXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-16
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.42	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
JESD-609代码：	e4	长度：	10.2865 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	16
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP16,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.336 mm
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	7.49 mm	Base Number Matches：	1

CY14B101Q3-SFXI 数据手册

CY14B101Q1

CY14B101Q2

CY14B101Q3

PRELIMINARY

1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM

■ Low Power Consumption

❐ Single 3V +20%, –10% operation

❐ Average V_CCcurrent of 10 mA at 40 MHz operation

Features

■ 1 Mbit Nonvolatile SRAM

❐ Internally organized as 128K x 8

■ Industry Standard Configurations

❐ Commercial and industrial temperatures

❐ CY14B101Q1 has identical pin configuration to industry stan-

dard 8-pin NV Memory

❐ 8-pin DFN and 16-pin SOIC Packages

❐ RoHS compliant

❐ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated auto-

matically on power down (AutoStore) or by user using HSB

pin (Hardware Store) or SPI instruction (Software Store)

❐ RECALL to SRAM initiated on power up (Power Up Recall)

or by SPI Instruction (Software RECALL)

❐ Automatic STORE on power down with a small capacitor

■ High Reliability

Functional Overview

❐ Infinite Read, Write, and RECALLl cycles

❐ 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

❐ Data Retention: 20 Years

The

Cypress

CY14B101Q1/CY14B101Q2/CY14B101Q3

combines a 1 Mbit nonvolatile static RAM with a nonvolatile

element in each memory cell. The memory is organized as 128K

words of 8 bits each. The embedded nonvolatile elements incor-

porate the QuantumTrap technology, creating the world’s most

reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read

and write cycles, while the QuantumTrap cell provides highly

reliable nonvolatile storage of data. Data transfers from SRAM to

the nonvolatile elements (STORE operation) takes place

automatically at power down. On power up, data is restored to

the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation).

Both STORE and RECALL operations can also be triggered by

the user.

■ High Speed Serial Peripheral Interface (SPI)

❐ 40 MHz Clock rate

❐ Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)

■ Write Protection

❐ Hardware Protection using Write Protect (WP) Pin

❐ Software Protection using Write Disable Instruction

❐ Software Block Protection for 1/4,1/2, or entire Array

V_CC

V_CAP

Logic Block Diagram

Quantum Trap

128K X 8

Power Control

SCK

Instruction decode

Write protect

Control logic

STORE/RECALL

Control

STORE

HSB

SRAM ARRAY

HOLD

RECALL

128K X 8

Instruction

D0-D7

A0-A16

Address

Decoder

Data I/O register

Status register

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-50091 Rev. *B

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 02, 2009

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12 3 4 5 6 7...22

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CY14B101Q3-SFXI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY14B101P-SFXIT	CYPRESS	完全替代	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM with Real Time Clock
CY14B101I-SFXI	CYPRESS	功能相似	1 Mbit (128K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock
CY14B101P-SFXI	CYPRESS	功能相似	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM with Real Time Clock

与CY14B101Q3-SFXI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14B101Q3-SFXIT	CYPRESS	获取价格	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B102L-BA15XI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 15ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT,
CY14B102L-BA20XI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 20ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT,
CY14B102L-BA20XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 20ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT,
CY14B102L-BA25XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 25ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT,
CY14B102L-BA45XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT,
CY14B102L-ZS15XCT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM
CY14B102L-ZS15XI	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY14B102L-ZS15XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
CY14B102L-ZS20XCT	CYPRESS	获取价格	2-Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM

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