Datasheet > 存储 > SRAM> CY14B101Q2-LHXI

CY14B101Q2-LHXI

更新时间： 2024-01-10 16:45:27

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
22页	1399K
描述
1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY14B101Q2-LHXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DFN	包装说明：	0.196 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-240, DFN-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-XDSO-N8	JESD-609代码：	e4
长度：	6 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	VSON	封装等效代码：	SOLCC8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.8 mm	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	5 mm
Base Number Matches：	1

CY14B101Q2-LHXI 数据手册

CY14B101Q1

CY14B101Q2

CY14B101Q3

PRELIMINARY

1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM

■ Low Power Consumption

❐ Single 3V +20%, –10% operation

❐ Average V_CCcurrent of 10 mA at 40 MHz operation

Features

■ 1 Mbit Nonvolatile SRAM

❐ Internally organized as 128K x 8

■ Industry Standard Configurations

❐ Commercial and industrial temperatures

❐ CY14B101Q1 has identical pin configuration to industry stan-

dard 8-pin NV Memory

❐ 8-pin DFN and 16-pin SOIC Packages

❐ RoHS compliant

❐ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated auto-

matically on power down (AutoStore) or by user using HSB

pin (Hardware Store) or SPI instruction (Software Store)

❐ RECALL to SRAM initiated on power up (Power Up Recall)

or by SPI Instruction (Software RECALL)

❐ Automatic STORE on power down with a small capacitor

■ High Reliability

Functional Overview

❐ Infinite Read, Write, and RECALLl cycles

❐ 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

❐ Data Retention: 20 Years

The

Cypress

CY14B101Q1/CY14B101Q2/CY14B101Q3

combines a 1 Mbit nonvolatile static RAM with a nonvolatile

element in each memory cell. The memory is organized as 128K

words of 8 bits each. The embedded nonvolatile elements incor-

porate the QuantumTrap technology, creating the world’s most

reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read

and write cycles, while the QuantumTrap cell provides highly

reliable nonvolatile storage of data. Data transfers from SRAM to

the nonvolatile elements (STORE operation) takes place

automatically at power down. On power up, data is restored to

the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation).

Both STORE and RECALL operations can also be triggered by

the user.

■ High Speed Serial Peripheral Interface (SPI)

❐ 40 MHz Clock rate

❐ Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)

■ Write Protection

❐ Hardware Protection using Write Protect (WP) Pin

❐ Software Protection using Write Disable Instruction

❐ Software Block Protection for 1/4,1/2, or entire Array

V_CC

V_CAP

Logic Block Diagram

Quantum Trap

128K X 8

Power Control

SCK

Instruction decode

Write protect

Control logic

STORE/RECALL

Control

STORE

HSB

SRAM ARRAY

HOLD

RECALL

128K X 8

Instruction

D0-D7

A0-A16

Address

Decoder

Data I/O register

Status register

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-50091 Rev. *B

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 02, 2009

[+] Feedback

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

CY14B101Q2-LHXI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY14B101Q2A-SXIT	CYPRESS	完全替代	1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data r
CY14B101Q2-LHXIT	CYPRESS	完全替代	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B101J1-SXI	CYPRESS	类似代替	1 Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM

与CY14B101Q2-LHXI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14B101Q2-LHXIT	CYPRESS	获取价格	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B101Q2-LHXIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14B101Q3	CYPRESS	获取价格	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B101Q3A-SF104XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-16
CY14B101Q3-SFXC	CYPRESS	获取价格	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B101Q3-SFXCT	CYPRESS	获取价格	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B101Q3-SFXI	CYPRESS	获取价格	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B101Q3-SFXIT	CYPRESS	获取价格	1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
CY14B102L-BA15XI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 15ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT,
CY14B102L-BA20XI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 256KX8, 20ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT,

与CY14B101Q2-LHXI相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

2
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

2
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

2
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14B101Q2-LHXI

CY14B101Q2-LHXI 技术参数

CY14B101Q2-LHXI 数据手册

CY14B101Q2-LHXI 替代型号

与CY14B101Q2-LHXI相关器件

与CY14B101Q2-LHXI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14B101Q2-LHXI

CY14B101Q2-LHXI 技术参数

CY14B101Q2-LHXI 数据手册

CY14B101Q2-LHXI 替代型号

与CY14B101Q2-LHXI相关器件

与CY14B101Q2-LHXI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？