是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DFN | 包装说明: | 0.196 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-240, DFN-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
JESD-30 代码: | R-XDSO-N8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 6 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | VSON | 封装等效代码: | SOLCC8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.8 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14B101Q1-LHXIT | CYPRESS |
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1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM | |
CY14B101Q2 | CYPRESS |
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1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM | |
CY14B101Q2A-S104XI | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8 | |
CY14B101Q2A-SXI | CYPRESS |
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1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data r | |
CY14B101Q2A-SXI | INFINEON |
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nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B101Q2A-SXIT | CYPRESS |
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1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data r | |
CY14B101Q2A-SXIT | INFINEON |
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nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B101Q2-LHXC | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM | |
CY14B101Q2-LHXCT | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM | |
CY14B101Q2-LHXI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM |